K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G045WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BCPB
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $4,10
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
Tổ chức 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Giao diện CMOS, differential clock (CK/CK#) DDR4 SDRAM parallel interface
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to 85 C 0C to +85C
Hộp 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
Terminals 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Kích thước bộ nhớ — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Technology — CMOS, 8Gb B-die
Number of Terminals — 78
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá