K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BCPB מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $4.10 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 2G x 4 | — |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| ממשק | CMOS, differential clock (CK/CK#) | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| מארז | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| Terminals | 78 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |