K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G045WB-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $4.10 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 2G x 4 | — |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| رابط | CMOS, differential clock (CK/CK#) | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (PBGA78) | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| Terminals | 78 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |