K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG165WM-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4AAG165WM-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCTD ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4AAG165WM-BCTD K4AAG165WM-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organizasyon 1G x 16 1G x 16
Speed 2666 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Paket 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) 96-ball FBGA
Arayüz SSTL-12 DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
Data Mask Yes —
Montaj Türü Surface Mount (BGA solder reflow) Surface Mount
RoHS Durumu RoHS (per LCSC listing) Compliant
Veri Hızı — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin