K4AAG165WM-BCTD vs K4AAG165WM-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4AAG165WM-BCTD توسط Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4AAG165WM-BCTD | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Speed | 2666 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| بسته‌بندی | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA |
| رابط | SSTL-12 | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA solder reflow) | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | RoHS (per LCSC listing) | Compliant |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |