K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BMH9 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Veri Hızı | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| Paket | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| CAS Gecikme | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |