K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BMH9 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| نرخ داده | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| تأخیر CAS | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |