K4B4G1646D-BMH9 vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BMH9 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BMH9 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| CAS لیٹنسی | Programmable | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (with burst chop 4) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |