K9LCG08U1M vs K9MDG08U5M Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9LCG08U1M tarafından Samsung Electronics ve K9MDG08U5M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K9LCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NAND Flash, MLC | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 16 Gbit (2 GB) |
| Organizasyon | x8 I/O | 16G x 8 bit |
| Arayüz | Asynchronous multiplexed NAND I/O | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | MLC (2 bits per cell) |
| Paket | BGA | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Besleme Gerilimi | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS Durumu | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |