K9LCG08U1M vs K9MDG08U5M موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9LCG08U1M بذریعہ Samsung Electronics اور K9MDG08U5M بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K9LCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Flash | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | NAND Flash, MLC | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 16 Gbit (2 GB) |
| تنظیم | x8 I/O | 16G x 8 bit |
| انٹرفیس | Asynchronous multiplexed NAND I/O | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | MLC (2 bits per cell) |
| پیکیج | BGA | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| سپلائی وولٹیج | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS اسٹیٹس | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |