K9LCG08U1M vs K9MDG08U5M So sánh
So sánh chi tiết song song của K9LCG08U1M bằng Samsung Electronics và K9MDG08U5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9LCG08U1M ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9LCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Flash | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash, MLC | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 16 Gbit (2 GB) |
| Tổ chức | x8 I/O | 16G x 8 bit |
| Giao diện | Asynchronous multiplexed NAND I/O | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | MLC (2 bits per cell) |
| Hộp | BGA | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trạng thái RoHS | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| Program Time (tPROG) | — | [DATA_NEEDED: tPROG] |