M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29DW323DB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W160EB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29DW323DB70N3E M29W160EB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Flash - NOR FLASH - NOR
Memory Format FLASH —
Technology FLASH - NOR Memory IC —
Density 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) —
Memory Organization 4M x 8 / 2M x 16 —
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Besleme Gerilimi 3 V class (per manufacturer datasheet) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom (DB variant) —
Byte/Word Organization Select Yes (BYTE pin) —
Applications Domain Embedded code storage / XIP —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: standard pack quantity] —
Bellek Boyutu — 16 Mbit (2M x8, 1M x16)
Organizasyon — 2M x8 / 1M x16
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us (typical)
Cell Type — SLC NOR
Paket / Kas — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Speed Grade — -70
FBGA Code — N/A (TSOP package)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin