M29DW323DB70N3E vs M29W160EB70N3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29DW323DB70N3E توسط Micron Technology و M29W160EB70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29DW323DB70N3E | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | Flash - NOR | FLASH - NOR |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| ولتاژ تغذیه | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +125C |
| بسته‌بندی | 48-TSOP I | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| سازمان | — | 2M x8 / 1M x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| بسته‌بندی / کیس | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |