M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash Parallel NOR Flash
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Arayüz Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Paket 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (E suffix) Compliant (E suffix, RoHS-compliant package)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Auto Grade 125C)
Program / Erase — Embedded byte/word program and erase controller
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Standard Packing — Tray
Family — M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin