M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FT55M3E2 מאת Micron Technology ו M29F800FB55M3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה EEPROM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash Parallel NOR Flash
גודל זיכרון 8 Mbit —
ארגון 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
ממשק Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
מתח אספקה 5 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
מארז 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (E suffix) Compliant (E suffix, RoHS-compliant package)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Auto Grade 125C)
Program / Erase — Embedded byte/word program and erase controller
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Standard Packing — Tray
Family — M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר