NVMFS6B25NLT1G vs BSC0901NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NVMFS6B25NLT1G tarafından onsemi ve BSC0901NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre NVMFS6B25NLT1G BSC0901NSATMA1
Marka onsemi Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 8 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 33 A —
Drain-to-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 24 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Power Dissipation at TA=25°C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25°C 62 W —
Series Automotive, AEC-Q101 —
Paket 5-DFN (5x6) 8-SOFL, surface mount TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C -55C to +150C
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin