UCC21521DWR vs UCC21550BDWR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21521DWR tarafından Texas Instruments ve UCC21550BDWR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21521DWR UCC21550BDWR
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket SOIC-16 (DW) 16-SOIC (DW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Çıkış Konfigürasyonu — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
Isolation Type — Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage — 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
UVLO Threshold — 8 V (VDD UVLO)
Programmable Dead Time — Yes
Disable Function — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin