UCC21521DWR vs UCC21550BDWR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار UCC21521DWR توسط Texas Instruments و UCC21550BDWR توسط Texas Instruments. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ فعال
Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر UCC21521DWR UCC21550BDWR
برند Texas Instruments Texas Instruments
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی SOIC-16 (DW) 16-SOIC (DW)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
پیکربندی خروجی — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
Isolation Type — Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage — 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
UVLO Threshold — 8 V (VDD UVLO)
Programmable Dead Time — Yes
Disable Function — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت