UCC21550AQDWKRQ1 vs UCC21550BDWR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550AQDWKRQ1 tarafından Texas Instruments ve UCC21550BDWR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550BDWR
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Reinforced isolated dual-channel gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Number of Channels 2 —
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Technology Capacitive coupling —
Configuration Two low-side, two high-side, or half-bridge —
Dead Time Programmable via DT pin —
Disable Function Yes (DIS pin) Yes
Input Threshold Logic TTL and CMOS compatible —
Target Switch Types Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Qualification Automotive (Q1) —
Paket 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Part Marking 21550AQ —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Supply Voltage Range (VDD) [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range] —
Çıkış Konfigürasyonu — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
Isolation Type — Capacitive coupling, reinforced isolation
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
UVLO Threshold — 8 V (VDD UVLO)
Programmable Dead Time — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin