BAT46WH vs 1N5711 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BAT46WH بذریعہ Nexperia اور 1N5711 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BAT46WH 1N5711
برانڈ Nexperia STMicroelectronics
زمرہ Diodes Diodes
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Diode Configuration Single —
Technology Planar Schottky barrier with integrated guard ring —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 100 V —
Forward Current (IF) 250 mA —
Forward Voltage (VF) 850 mV 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Non-Repetitive Peak Forward Current 2.5 A —
Maximum Operating Temperature 155 C —
پیکیج SOD-123F (flat lead) SMD DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through-Hole
Terminal Position Dual —
Terminal Form Flat —
Number of Terminals 2 —
Package Shape Rectangular —
Typical Applications High-speed switching, voltage clamping, line termination, reverse polarity protection —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current IR] [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]
Junction Capacitance [DATA_NEEDED: junction capacitance] —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: total power dissipation Ptot] 430 mW
Diode Type — Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Peak Reverse Voltage (VRRM) — 70 V
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Total Capacitance — 2 pF
Junction Capacitance (Cj) — 1 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں