BAT46WH vs 1N5711 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BAT46WH מאת Nexperia ו 1N5711 מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BAT46WH 1N5711
מותג Nexperia STMicroelectronics
קטגוריה Diodes Diodes
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Diode Configuration Single —
Technology Planar Schottky barrier with integrated guard ring —
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 100 V —
Forward Current (IF) 250 mA —
Forward Voltage (VF) 850 mV 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Non-Repetitive Peak Forward Current 2.5 A —
Maximum Operating Temperature 155 C —
מארז SOD-123F (flat lead) SMD DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
סוג הרכבה Surface Mount Through-Hole
Terminal Position Dual —
Terminal Form Flat —
Number of Terminals 2 —
Package Shape Rectangular —
Typical Applications High-speed switching, voltage clamping, line termination, reverse polarity protection —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current IR] [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]
Junction Capacitance [DATA_NEEDED: junction capacitance] —
Power Dissipation [DATA_NEEDED: total power dissipation Ptot] 430 mW
Diode Type — Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Peak Reverse Voltage (VRRM) — 70 V
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Total Capacitance — 2 pF
Junction Capacitance (Cj) — 1 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר