BSP92PH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP92PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP129H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP92PH6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (Tj) -55 C to +150 C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
پن کی تعداد 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں