CGD65C025SP2 vs CGD65A055S2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65C025SP2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CGD65C025SP2 CGD65A055S2
برانڈ Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
زمرہ MOSFETs Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C025SP2 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) —
Gate Technology ICeGaN® (no negative gate supply required) ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 60 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 25 mΩ (typical) —
پیکیج BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
Material GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon) —
Switching Frequency Suitability High frequency (fast turn-on, easy paralleling) —
Datasheet Status Preliminary (May 2024) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualification unknown —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 27 A
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
Polarity — Single FET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں