CGD65C025SP2 vs CGD65A055S2 So sánh

So sánh chi tiết song song của CGD65C025SP2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65A055S2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ Hoạt động
Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices

CGD65A055S2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số CGD65C025SP2 CGD65A055S2
Thương hiệu Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
Danh mục MOSFETs Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C025SP2 —
Kiểu transitor N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) —
Gate Technology ICeGaN® (no negative gate supply required) ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 60 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 25 mΩ (typical) —
Hộp BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
Material GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon) —
Switching Frequency Suitability High frequency (fast turn-on, easy paralleling) —
Datasheet Status Preliminary (May 2024) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualification unknown —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
Trực流连续电流 (TC=25°C) — 27 A
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
Polarity — Single FET

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá