CGD65C025SP2 vs CGD65A055S2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CGD65C025SP2 توسط Cambridge GaN Devices و CGD65A055S2 توسط Cambridge GaN Devices. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CGD65C025SP2 CGD65A055S2
برند Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
دسته‌بندی MOSFETs Transistors
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C025SP2 —
نوع ترانزیستور N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) —
Gate Technology ICeGaN® (no negative gate supply required) ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 60 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 25 mΩ (typical) —
بسته‌بندی BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
Material GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon) —
Switching Frequency Suitability High frequency (fast turn-on, easy paralleling) —
Datasheet Status Preliminary (May 2024) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualification unknown —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — 27 A
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
Polarity — Single FET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت