CGD65C025SP2 vs CGD65A055S2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CGD65C025SP2 מאת Cambridge GaN Devices ו CGD65A055S2 מאת Cambridge GaN Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CGD65C025SP2 CGD65A055S2
מותג Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
קטגוריה MOSFETs Transistors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Cambridge GaN Devices (CGD) Cambridge GaN Devices
Part Number CGD65C025SP2 —
סוג טרנזיסטור N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off) —
Gate Technology ICeGaN® (no negative gate supply required) ICeGaN™ (standard-driver compatible)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) 60 A —
On-Resistance (R_DS(on)) 25 mΩ (typical) —
מארז BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank) 16-pin DFN 8x8 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Operating Mode Enhancement mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
Material GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon) —
Switching Frequency Suitability High frequency (fast turn-on, easy paralleling) —
Datasheet Status Preliminary (May 2024) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
AEC-Q100 Qualification unknown —
Technology — GaN-on-Si HEMT (enhancement mode)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 650 V
On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) — 27 A
Current Sense Pin — Yes (integrated CS output)
Integrated Protection Circuit — NL³ (non-linear low-loss)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 0 nC (zero, typical for GaN)
Channel Type — N-Channel
Polarity — Single FET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר