FDMC89521L vs DMN3190LDW-7 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از FDMC89521L بذریعہ onsemi اور DMN3190LDW-7 بذریعہ Diodes Incorporated. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر FDMC89521L DMN3190LDW-7
برانڈ onsemi Diodes Incorporated
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer onsemi (Fairchild Semiconductor) —
FET Type 2 × N-Channel (Dual) Dual N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C 8.2 A —
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C [DATA_NEEDED: TC-rated Id] —
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V 17 mΩ —
Gate-Source Voltage (Vgs) ±20 V —
Power Dissipation (TA=25C) 1.9 W —
Power Dissipation (TC=25C) 16 W —
Technology POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET Silicon N-Channel MOSFET
پیکیج 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm) SOT-363 (SC-70-6) 6-pin
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) —
MSL لیول 1 (per onsemi product page) 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Body Diode Integrated N-channel body diode —
Configuration Dual independent drain-source pairs Dual, independent drains
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) — 1 A
Power Dissipation (PD) — 320 mW
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes
Factory Pack Quantity — 3000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں