FDMC89521L vs DMN3190LDW-7 So sánh
So sánh chi tiết song song của FDMC89521L bằng onsemi và DMN3190LDW-7 bằng Diodes Incorporated. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | FDMC89521L | DMN3190LDW-7 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | onsemi | Diodes Incorporated |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | onsemi (Fairchild Semiconductor) | — |
| FET Type | 2 × N-Channel (Dual) | Dual N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C | 8.2 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C | [DATA_NEEDED: TC-rated Id] | — |
| On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V | 17 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | ±20 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 1.9 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 16 W | — |
| Technology | POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET | Silicon N-Channel MOSFET |
| Hộp | 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm) | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (Tj) | — |
| Cấp MSL | 1 (per onsemi product page) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Body Diode | Integrated N-channel body diode | — |
| Configuration | Dual independent drain-source pairs | Dual, independent drains |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1 A |
| Power Dissipation (PD) | — | 320 mW |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Lead-Free | — | Yes |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |