IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N074ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N037GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
پن کی تعداد 8 (with exposed pad) —
MSL لیول MSL2 (1 year) [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں