IPB068N20NM6ATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB068N20NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB068N20NM6ATMA1 BSC050N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 charge-compensation trench OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 15.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 134 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 68 milliohm —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation 42% lower —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
پن کی تعداد 3 (2 + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Tape and Reel Packaging Yes (ATMA1 suffix = T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں