IPD50N10S3L16ATMA2 vs IPD50N10S3L16ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50N10S3L16ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD50N10S3L16ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 - 100V 50A 15mΩ N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA2 ✓ فعالInfineon
IPD50N10S3L16ATMA1 - 100V N-Ch 50A OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD50N10S3L16ATMA2 | IPD50N10S3L16ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-T | OptiMOS-T |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Maximum R_DS(on) at VGS=10V | 15 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | 100 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (junction) | -55C to +175C |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Delivery Form | Tape and Reel (T&R) | — |
| Part Number | — | IPD50N10S3L16ATMA1 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 200 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 15 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| Power Dissipation (P_D, T_C=25C) | — | 100 W |
| Packaging | — | Tape & Reel |