IPD60R600C6 vs IPD60R380C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R600C6 بذریعہ Infineon اور IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R600C6 | IPD60R380C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) | CoolMOS C6 Superjunction |
| Drain-to-Source Voltage (V DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I D) at T C = 25 C | 7.3 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (R DS(on)) max at V GS = 10 V | 600 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P D) at T C = 25 C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: V GS(th) typical and minimum] | — |
| Gate Charge (Q G) typical | [DATA_NEEDED: Q G value] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 10.6 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 380 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 83 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -55C to +150C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Drain-Tab Connection | — | Exposed pad (electrically connected to drain) |