IPG20N10S436AATMA1 vs IPT015N10N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N10S436AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT015N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N10S436AATMA1 IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 - Dual N-CH 100V 20A MOSFET Array | Infineon

IPG20N10S436AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N10S436AATMA1 IPT015N10N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Configuration Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) Single
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (per channel) —
Total Power Dissipation (PD) 43 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
پیکیج PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-HSOF-8-1 (TOLL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TJ max) +175 C —
JESD-609 Code e3 —
MSL لیول MSL1 (260 C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Tested 100% —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Green Product) Compliant
Channel Type N-Channel Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT015N10N5ATMA1
Technology — OptiMOS™ 5
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.5 mΩ
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +175°C
Gate Threshold VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Output Capacitance (Coss) — Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim)
RDS(on) Improvement vs Prior Generation — Up to 43% reduction
Packaging — Tape & Reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں