IPP100N12S305AKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP100N12S305AKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP045N10N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP100N12S305AKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
RoHS اسٹیٹس — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
MSL لیول — N/A (through-hole package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں