IPP100N12S305AKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP100N12S305AKSA1 מאת Infineon ו IPP045N10N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP100N12S305AKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
זרם ניקוז פועם [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
סטטוס RoHS — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
רמת MSL — N/A (through-hole package)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר