IRF7306TRPBF vs FDS6575 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon اور FDS6575 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7306TRPBF FDS6575
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel (dual) P-Channel
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C -10 A
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) PowerTrench (rugged gate)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOIC-8 (SO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں