IRF7306TRPBF vs FDS6575 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7306TRPBF bằng Infineon và FDS6575 bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF - Dual P-Ch -30V 3.6A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7306TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7306TRPBF FDS6575
Thương hiệu Infineon onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel (dual) P-Channel
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C -10 A
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) PowerTrench (rugged gate)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) SOIC-8 (SO-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) —
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 13 mOhm max at VGS = -4.5 V
Gate Drive Voltage Range — 2.5 V to 8 V
Điện áp mức ngưỡng cửa — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation — [DATA_NEEDED: power dissipation at TA]
Configuration — Single MOSFET
Gate Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá