IRF7389TRPBF vs IRF7389PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7389TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7389PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7389TRPBF IRF7389PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge N and P-Channel (complementary half-bridge)
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) Generation V HEXFET
پیکیج 8-SO (SOIC-8) SO-8 (SOIC-8) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
MSL لیول 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) — 30 V
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) — -30 V
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) — 7.3 A
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) — -5.3 A
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max — 0.029 ohm at V_GS=10V
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max — 0.058 ohm at V_GS=10V
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical — 22 nC
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical — 23 nC
Power Dissipation (P_D) — 2.5 W
Pinout — Industry-standard complementary SO-8
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: full operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں