IRFS52N15DPBF vs IRFB52N15DPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS52N15DPBF بذریعہ Infineon اور IRFB52N15DPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS52N15DPBF IRFB52N15DPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar Cell) HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 204 A
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
RDS(on) max @ VGS=10V 32 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 230 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Qualification Standard JEDEC Industrial market (per IR/Infineon)
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 51 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 32 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 230 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Package Type — TO-220AB (through-hole)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں