IRFS52N15DPBF vs IRFB52N15DPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS52N15DPBF توسط Infineon و IRFB52N15DPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS52N15DPBF IRFB52N15DPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (Planar Cell) HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 204 A
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
RDS(on) max @ VGS=10V 32 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 230 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55 C to +175 C
بسته‌بندی D2PAK (TO-263) Surface Mount —
نوع نصب Surface Mount Through Hole
Qualification Standard JEDEC Industrial market (per IR/Infineon)
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 51 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 32 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 230 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Package Type — TO-220AB (through-hole)
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت