IRL40S212ARMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL40S212ARMA1 بذریعہ Infineon اور IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRL40S212ARMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Pb-free green finish) |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |