ISC037N12NM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC037N12NM6ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| پلسڈ ڈرین کرنٹ | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| پنز کی تعداد | — | 3 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |