K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WG-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Memory Density 4 Gbit —
تنظیم 512M x 8 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM (Volatile)
ڈیٹا ریٹ 2400 Mb/s (PC2400) 3200 Mbps/pin
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج FBGA-78 (TFBGA) FBGA-78 (BCW)
Number of Terminals 78 —
انٹرفیس Parallel Parallel (DDR4)
Access Mode Multi-bank page burst —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
میموری سائز — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — D-die DDR4
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tray

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں