K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G085WG-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WG-BCWE
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Memory Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (D-die) DDR4 SDRAM (Volatile)
Tốc độ dữ liệu 2400 Mb/s (PC2400) 3200 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Hộp FBGA-78 (TFBGA) FBGA-78 (BCW)
Number of Terminals 78 —
Giao diện Parallel Parallel (DDR4)
Access Mode Multi-bank page burst —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — D-die DDR4
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tray

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá