K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A4G085WG-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| קצב נתונים | 2400 Mb/s (PC2400) | 3200 Mbps/pin |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| מארז | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (BCW) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| ממשק | Parallel | Parallel (DDR4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | Tray |