K4A8G085WB-BCPB vs H5ANAG8NBJR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور H5ANAG8NBJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BCPB | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $4.10 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| انٹرفیس | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| تنظیم | — | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Die Revision | — | BJR |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |