K4A8G085WB-BCPB vs H5ANAG8NBJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCPB توسط Samsung Electronics و H5ANAG8NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCPB | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $4.10 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Max Clock Frequency | 1066 MHz | — |
| Max Access Time | 0.18 ns | — |
| Max Standby Current | 0.016 mA | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Technology | CMOS, 8Gb B-die | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| رابط | DDR4 SDRAM parallel interface | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Operating Temperature Grade | Commercial (0C to 85C) | — |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| سازمان | — | x8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| نوع رابط | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Die Revision | — | BJR |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |