K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NCJR-VKC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NCJR-VKC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2666 Mbps (MT/s) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (PBGA96) | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.333 GHz |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| لائف سائیکل کی حالت | — | Active |