K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NCJR-VKC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו H5AN8G6NCJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ממשק | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| קצב נתונים | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2666 Mbps (MT/s) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.333 GHz |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| תכונות | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| סטטוס מחזור חיים | — | Active |