K4A8G165WB-BCRC vs H5AN8G6NCJR-VKC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics và H5AN8G6NCJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BCRC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Giao diện | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.14 V to 1.26 V |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2666 Mbps (MT/s) |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| Hộp | 96-ball FBGA (PBGA96) | FBGA-96 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | 1.333 GHz |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Trạng thái vòng đời | — | Active |